TSM680P06CZ C0G
Tillverkare Produktnummer:

TSM680P06CZ C0G

Product Overview

Tillverkare:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

TSM680P06CZ C0G-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 60V 18A TO220
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220

Inventarier:

Förfrågan Online
12892721
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TSM680P06CZ C0G Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Taiwan Semiconductor
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
68mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
42W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3

Ytterligare information

Standard-paket
1
Andra namn
TSM680P06CZC0G

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
IRF9Z34PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1262
DEL NUMMER
IRF9Z34PBF-DG
ENHETSPRIS
0.69
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
taiwan-semiconductor

TSM300NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN

vishay-siliconix

IRF710S

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

taiwan-semiconductor

TSM80N950CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251

taiwan-semiconductor

TSM1N45CT A3G

MOSFET N-CH 450V 500MA TO92